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Chapter063 光刻胶（第1页）

高能物理研所本就研核能物理等先进技术地方，在布一楠前就着手开始了国产光刻机制造。

但因工艺水平和理论限制一直大突破。

布一楠想造光刻机，邓玉峰就将高能物理研所事就将光元部分交给了对方，他们本就一些设计理念和思路在，加上布一楠技术至此也花了将近两个月才搞定些。

只想到组装光刻机过程时候，布一楠&xeoo现自己遗漏了一种物品。

智者千虑必一失，她彻底忘记了东西也卖，得现造！

光刻胶。

如果把光刻机形容成半导体行业皇冠话，光刻胶就皇冠上最璀璨明珠。

虽然光刻胶仅占半导体材料行业，但光刻胶芯片制造行业中最核心、最关键三大件一。

硅片，第一；光刻机第，第三就光刻胶。

整个晶圆制造过程中，光刻耗时约占整个工艺o-o。

光刻胶（photoresist）又叫光阻剂光阻。

光刻胶一种能把光影化现实胶体，着正胶负胶分。

其中正胶一种见光死材料。

但在暗中&xeoo异常坚挺，被特定波长光线照就会疲软，继而能被溶解清除。

负胶则和正胶刚好相反。

所光刻技术就利用光刻胶种光敏，雕刻芯片。

（目前全球五大光刻胶生产厂家其中四家企，一家美企）

例如，们要造一个沟槽式内存芯片（dra，先在暗中给硅片涂一层光刻胶，再照上光掩膜进行曝光，让光线按照光掩膜上设计好坑位通过照在光刻胶上。

些胶体就会疲软，随即被溶剂洗掉，而剩余坚挺光刻胶成了保护膜，接着用能腐蚀硅溶剂，把光刻胶保护坑位区域腐蚀掉一层，最再把光刻胶保护膜清除，就完成了大量深坑确雕刻。

同时种对硅片定向做减法腐蚀，就刻蚀（etbsp;刻蚀、沉积、注入粒子就光刻基本步骤。

而硅片每一次光刻又要过个步骤，个烘焙。

光刻步骤：

清洁及表面处理

用去离子水清洗，了给硅片做增黏处理，会用六甲基硅胺烷气体（hs）熏蒸硅片，使硅片表面充分脱水。

旋转涂胶

在硅片中间旋转滴入硅刻胶，让硅片高转动把胶体摊开，在以较慢度旋转，让胶体厚度稳定，接着去边处理，去掉边缘一圈光刻胶。

前烘

涂胶机械臂拿出硅片放入烤箱热板上进行烘焙，目减少光刻胶中溶剂量，让其更加浓稠坚固，提高与硅片附着稳定，一般oo°左右温度烤一分钟，因光刻胶耐高温。

对准和曝光

光掩模、透镜组和硅片工作台密对准和调频，光元放光，移动硅片台让硅片序曝光。

烘（peb）

通过加热让光刻胶中光化学反应充分完成，可以弥补曝光强度足问题，同时减少光刻胶显影因驻波效应产生一圈圈纹路。

显影冲洗

烘把曝光部分溶解清除，光掩膜上图像就复现在了光刻胶上。

再具体一些就用去离子水润硅片，把显影（四甲基氢氧化铵）水溶均匀喷淋在光刻胶表面，让光刻中被曝光部分充分溶解，最用去离子水冲走（纳米以下制程，因尺寸太小溶解残留物比表面积过大，黏附力强，需要加喷氮气）

坚膜烘焙

让保护膜更坚挺，更加得刻蚀。

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